liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Ab initio studies of adsorption and diffusion processes on alpha-Al2O3 (0001) surfaces
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Plasma och beläggningsfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Plasma och beläggningsfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Teoretisk Fysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: International Symposium on Reactive Sputter Deposition,2007, 2007Konferensbidrag, Publicerat paper (Övrigt vetenskapligt)
Abstract [en]

As one of the technologically most important ceramic materials, alumina (Al2O3) thin film growth has been studied extensively in the past. However, the mechanisms behind the formation of different phases and microstructures are still poorly understood, especially for physically vapor deposited films. An increased atomic scale understanding of alumina surface processes would thus be an important step towards a more complete understanding and control of the deposition process. In the present work, density functional theory based methods were used to study the adsorption of Al, O, AlO, and O2 on different terminations of alpha-alumina (0001) surfaces. The results show the existence of several metastable adsorption sites on the O-terminated surface and provide a possible explanation for the well-known difficulties in growing -Ñ-alumina at lower temperatures. Moreover, we demonstrate that Al adsorption in bulk positions is unstable, or considerably weaker, for completely hydrogenated surfaces, indicating that hydrogen stemming from residues in vacuum systems, might hinder the growth of crystalline alpha-alumina. Furthermore, nudged elastic band investigations of dynamic energy barriers for different surface diffusion processes show that Al diffusion, on the Al-terminated (0001) surface, requires only ~0.7 eV. This value is considerably lower than what is generally expected for the low temperature synthesis of alpha-alumina phase. These results add significantly to understanding the effects of several important factors on alumina growth, and their implication, on optimizing deposition processes for the synthesis of alumina films with desired properties, will be discussed.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007.
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-40632Lokalt ID: 53682OAI: oai:DiVA.org:liu-40632DiVA, id: diva2:261481
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2013-10-30

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Wallin, ErikAndersson, JonMünger, PeterChirita, ValeriuHelmersson, Ulf

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Wallin, ErikAndersson, JonMünger, PeterChirita, ValeriuHelmersson, Ulf
Av organisationen
Tekniska högskolanPlasma och beläggningsfysikTeoretisk FysikTunnfilmsfysik
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 109 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf