liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Strain and compositional analyzes of Al-rich Al1-xInxN alloys grown by MOVPE: impact on the applicability of Vegard's rule
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Vise andre og tillknytning
2008 (engelsk)Inngår i: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 2008, s. 1859-1862Konferansepaper, Publicerat paper (Fagfellevurdert)
Abstract [en]

We have studied composition and strain in Al1–xInxN films with 0.128 x 0.22 grown on GaN-buffered sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. A good agreement between the In contents determined by Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and Xray diffraction (XRD) is found for x 18, suggesting applicability of Vegard's rule in the narrow compositional range around the lattice matching to GaN. The increase of the In content up to x = 0.22 leads to a formation of sub-layers with a higher composition, accompanied by deviations from Vegard's rule. (© 2008 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)

sted, utgiver, år, opplag, sider
2008. s. 1859-1862
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-42414DOI: 10.1002/pssc.200778706Lokal ID: 63819OAI: oai:DiVA.org:liu-42414DiVA, id: diva2:263271
Konferanse
7th Int. Conference on Nitride Semiconductors ICNS-7,2007
Tilgjengelig fra: 2009-10-10 Laget: 2009-10-10 Sist oppdatert: 2019-01-28

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaBeckers, ManfredHultman, LarsXie, MengyaoMonemar, Bo

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Darakchieva, VanyaBeckers, ManfredHultman, LarsXie, MengyaoMonemar, Bo
Av organisasjonen

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 171 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf