liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Improved SiC Epitaxial Material for Bipolar Applications
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Proc. of MRS Spring Meeting 2008, 2008, s. D05-Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Epitaxial growth on Si-face nominally on-axis 4H-SiC substrates has been performed using horizontal Hot-wall chemical vapor deposition system. The formation of 3C inclusions is one of the main problem with growth on on-axis Si-face substrates. In situ surface preparation, starting growth parameters and growth temperature are found to play a vital role in the epilayer polytype stability. High quality epilayers with 100% 4H-SiC were obtained on full 2″ substrates. Different optical and structural techniques were used to characterize the material and to understand the growth mechanisms. It was found that the replication of the basal plane dislocation from the substrate into the epilayer can be eliminated through growth on on-axis substrates. Also, no other kind of structural defects were found in the grown epilayers. These layers have also been processed for simple PiN structures to observe any bipolar degradation. More than 70% of the diodes showed no forward voltage drift during 30 min operation at 100 A/cm2.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. s. D05-
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-43430DOI: 10.1557/PROC-1069-D05-01Lokalt ID: 73833OAI: oai:DiVA.org:liu-43430DiVA, id: diva2:264289
Konferens
MRS Spring Meeting 2008
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2014-10-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Bergman, Pederul-Hassan, JawadHenry, AnneJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Bergman, Pederul-Hassan, JawadHenry, AnneJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 114 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf