liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Performance of SiC Microwave Transistors in Power Amplifiers
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
2008 (Engelska)Ingår i: Proc. of MRS Symposium on wide bandgap semiconductor electronics 8, 2008, s. 203-208Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The performance of SiC microwave power transistors is studied in fabricated class-AB power amplifiers and class-C switching power amplifier using physical structure of an enhanced version of previously fabricated and tested SiC MESFET. The results for pulse input in class-C at 1 GHz are; efficiency of 71.4 %, power density of 1.0 W/mm. The switching loss was 0.424 W/mm. The results for two class-AB power amplifiers are; the 30-100 MHz amplifier showed 45.6 dBm (∼ 36 W) output powers at P1dB, at 50 MHz. The power added efficiency (PAE) is 48 % together with 21 dB of power gain. The maximum output power at P1dB at 60 V drain bias and Vg= -8.5 V was 46.7 dBm (∼47 W). The typical results obtained in 200-500 MHz amplifier are; at 60 V drain bias the P1dB is 43.85 dBm (24 W) except at 300 MHz where only 41.8 dBm was obtained. The maximum out put power was 44.15 dBm (26 W) at 500 MHz corresponding to a power density of 5.2 W/mm. The PAE @ P1dB [%] at 500 MHz is 66 %.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. s. 203-208
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-43516DOI: 10.1557/PROC-1069-D10-05Lokalt ID: 74039ISBN: 978-160511039-4 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-43516DiVA, id: diva2:264375
Konferens
MRS Symposium on wide bandgap semiconductor electronics 8,2008
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2014-08-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Azam, SherJanzén, ErikWahab, Qamar Ul

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Azam, SherJanzén, ErikWahab, Qamar Ul
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 114 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf