liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Magneto-optical spectroscopy of defects in wide bandgap semiconductors: GaN and SiC
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Proceedings Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, IEEE , 2000, s. 497-502Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We review recent progress in our understanding of intrinsic defects in GaN and SiC, gained from magneto-optical studies by Zeeman measurements and optically detected magnetic resonance. The two best-known intrinsic defects in these two wide bandgap semiconductors, i.e. the Ga interstitial in GaN and the silicon vacancy in SiC, are discussed in detail. The Ga interstitial is the first and only intrinsic defect in GaN that has so far been unambiguously identified, either in the presumably isolated form or in a family of up to three complexes. The silicon vacancy is among the most studied intrinsic defect in SiC, at least in two charge states, and yet still remains controversial.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
IEEE , 2000. s. 497-502
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45113DOI: 10.1109/COMMAD.2000.1022997Lokalt ID: 79722ISBN: 0-7803-6698-0 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-45113DiVA, id: diva2:265975
Konferens
Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 6-8 December 2000, Bundoora, Vic., Australia
Anmärkning

INVITED TALK

Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2017-03-27

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltexthttp://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?isnumber=22012&arnumber=1022997&count=125&index=112

Personposter BETA

Chen, WeiminBuyanova, IrinaWagner, MatthiasJanzén, ErikMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Chen, WeiminBuyanova, IrinaWagner, MatthiasJanzén, ErikMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanFunktionella elektroniska materialHalvledarmaterial
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 137 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf