liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Photoluminescence characterization of GaNAs/GaAs structures grown by molecular beam epitaxy
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology, ISSN 0921-5107, E-ISSN 1873-4944, Vol. 75, nr 2-3, s. 166-169Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A number of optical spectroscopies, including photoluminescence (PL), PL excitation and cathodoluminescence, are employed for characterization of GaNAs epilayers and GaAs/GaNxAs1-x quantum well structures grown by gas source molecular beam epitaxy at low temperature. The existence of strong potential fluctuations in the band edge of the GaNAs alloy is concluded, even for the samples with high optical quality, from a detailed analysis of the characteristic properties of the GaNAs-related PL emission. Based on the observed similarity in the PL properties between the GaNAs epilayers and the QW structures, the potential fluctuations are suggested to be mainly due to composition disorder and strain nonuniformity of the alloy. ⌐ 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 75, nr 2-3, s. 166-169
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45130Lokalt ID: 79778OAI: oai:DiVA.org:liu-45130DiVA, id: diva2:265992
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Buyanova, IrinaChen, WeiminMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Buyanova, IrinaChen, WeiminMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanFunktionella elektroniska materialMateriefysik
I samma tidskrift
Materials Science & Engineering: B. Solid-state Materials for Advanced Technology
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 95 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf