liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Effect of electron irradiation on optical properties of gallium nitride
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Visa övriga samt affilieringar
1999 (Engelska)Ingår i: Physica Scripta, ISSN 0031-8949, E-ISSN 1402-4896, Vol. T79, s. 72-75Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

 The effect of electron irradiation on the optical properties of GaN epilayers is studied in detail by photoluminescence (PL) spectroscopy. The most common types of GaN material are used, i.e. strained heteroepitaxial layers grown on 6H SiC or Al2O3 substrates, and thick bulk-like layers with the conductivity varying from n-type to semi-insulating and p-type. The main effects of electron irradiation on all investigated samples are found to be as follows: (i) a radiation-induced quenching of excitonic emissions in the near band gap region; (ii) an appearance of broad overlapping PL emissions within the spectral range 0.7-1.1 eV and (iii) the appearance of a PL band with a sharp no-phonon (NP) line at around 0.88 eV followed by a rich phonon assisted sideband. The 0.88 eV band is shown to originate from an internal transition of a deep defect. With increasing temperature a hot PL line can be observed at about 2-4 meV above the NP line, originating from higher lying excited states of the defect. The electronic structure of the 0.88 eV defect is shown to be very sensitive to the internal strain field in the GaN epilayers.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1999. Vol. T79, s. 72-75
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45142DOI: 10.1238/Physica.Topical.079a00072Lokalt ID: 79817OAI: oai:DiVA.org:liu-45142DiVA, id: diva2:266004
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Buyanova, IrinaWagner, MatthiasChen, WeiminMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Buyanova, IrinaWagner, MatthiasChen, WeiminMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanFunktionella elektroniska materialMateriefysik
I samma tidskrift
Physica Scripta
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 128 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf