liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Mechanism for Light Emission in GaNAs/GaAs Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
1999 (Engelska)Ingår i: Physica status solidi. B, Basic research, ISSN 0370-1972, E-ISSN 1521-3951, Vol. 216, nr 1, s. 125-129Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

 A detailed photoluminescence (PL) study reveals that the low-temperature PL emission in GaNAs epilayers and GaAs/GaNxAs1 - x quantum well structures grown by molecular beam epitaxy is governed by recombination of localized excitons. This conclusion is based on the analysis of the PL lineshape, its dependence on the excitation power and measurement temperature, as well as PL transient data. The depth of the localization potential is estimated as about 60 meV, varying slightly among the different structures.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1999. Vol. 216, nr 1, s. 125-129
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45144DOI: 10.1002/(SICI)1521-3951(199911)216:1<125::AID-PSSB125>3.0.CO;2-3Lokalt ID: 79819OAI: oai:DiVA.org:liu-45144DiVA, id: diva2:266006
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2018-03-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Buyanova, IrinaChen, WeiminPozina, GaliaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Buyanova, IrinaChen, WeiminPozina, GaliaMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanFunktionella elektroniska materialHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Physica status solidi. B, Basic research
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 123 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf