liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Mechanism for low-temperature photoluminescence in GaNAs/GaAs structures grown by molecular-beam epitaxy
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Visa övriga samt affilieringar
1999 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 75, nr 4, s. 501-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

 The mechanism for low-temperature photoluminescence (PL) emissions in GaNAs epilayers and GaAs/GaNxAs1 - x quantum well (QW) structures grown by molecular-beam epitaxy is studied in detail, employing PL, PL excitation, and time-resolved PL spectroscopies. It is shown that even though quantum confinement causes a strong blueshift of the GaNAs PL emission, its major characteristic properties are identical in both QW structures and epilayers. Based on the analysis of the PL line shape, its dependence on the excitation power and measurement temperature, as well as transient data, the PL emission is concluded to be caused by a recombination of excitons trapped by potential fluctuations in GaNAs.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1999. Vol. 75, nr 4, s. 501-
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45148DOI: 10.1063/1.124429Lokalt ID: 79833OAI: oai:DiVA.org:liu-45148DiVA, id: diva2:266010
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Buyanova, IrinaChen, WeiminPozina, GaliaBergman, PederMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Buyanova, IrinaChen, WeiminPozina, GaliaBergman, PederMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanFunktionella elektroniska materialMateriefysik
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 151 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf