liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Effect of growth temperature on photoluminescence of GaNAs/GaAs quantum well structures
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0001-7155-7103
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Funktionella elektroniska material.ORCID-id: 0000-0002-6405-9509
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Visa övriga samt affilieringar
1999 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 75, nr 24, s. 3781-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

 The effect of growth temperature on the optical properties of GaAs/GaNxAs1-x quantum wells is studied in detail using photoluminescence (PL) spectroscopies. An increase in growth temperature up to 580 °C is shown to improve the optical quality of the structures, while still allowing one to achieve high (>3%) N incorporation. This conclusion is based on: (i) an observed increase in intensity of the GaNAs-related near-band-edge emission; (ii) a reduction in band-edge potential fluctuations, deduced from the analysis of the PL line shape; and (iii) a decrease in concentration of some extended defects detected under resonant excitation of the GaNAs. The thermal quenching of the GaNAs-related PL emission, however, is almost independent of the growth temperature and is attributed to a thermal activation of an efficient nonradiative recombination channel located in the GaNAs layers.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1999. Vol. 75, nr 24, s. 3781-
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45149DOI: 10.1063/1.125454Lokalt ID: 79834OAI: oai:DiVA.org:liu-45149DiVA, id: diva2:266011
Tillgänglig från: 2009-10-10 Skapad: 2009-10-10 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Buyanova, IrinaChen, WeiminMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Buyanova, IrinaChen, WeiminMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanFunktionella elektroniska materialMateriefysik
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 119 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf