liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Lateral enlargement of silicon carbide crystals
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Råback, P., Center of Scientific Computing, Box 405, FIN-02101 Espoo, Finland.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Visa övriga samt affilieringar
2004 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 270, nr 1-2Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A new growth technique for lateral enlargement of silicon carbide crystals is presented and evaluated. The technique is based on PVT growth but modified with respect to temperature gradients and geometry as compared to conventional setup. Simulation of the temperature distribution for lateral growth as well as the growth mechanism is discussed. High-resolution X-ray diffraction and synchrotron white beam X-ray topography have been evaluated concerning structural defects. The results show that this growth technique makes it possible to enlarge seed crystals without threading screw dislocations and micropipes along the 0001 direction, but stacking faults are introduced due to the crystal stacking sequence along the <11¯00> directions. © 2004 Elsevier B.V.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2004. Vol. 270, nr 1-2
Nyckelord [en]
A1. Crystal structure, A1. High resolution X-ray diffraction, A1. X-ray topography, A2. Growth from vapor
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-45632DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2004.05.108OAI: oai:DiVA.org:liu-45632DiVA, id: diva2:266528
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Yakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelHenry, AnneJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Yakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelHenry, AnneJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 113 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf