liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Optoelectronic devices on bulk GaN
Visa övriga samt affilieringar
2005 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 281, nr 1, s. 101-106Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The homoeptaxial fabrication of GaN-based devices has advantages against heteroepitaxial realization on substrates such as sapphire or SiC, since heteroepitaxy implies a lot of problems like lattice mismatch, different thermal expansion coefficients, and needs an extensive optimization of the growth at the heterointerface. In this paper we will discuss GaN-based light-emitting devices grown by homoepitaxy in comparison to devices grown on sapphire. A special emphasis is laid on the pretreatment of the GaN substrate and the device characteristics on different substrates. In detail will be discussed the advantages of the higher thermal conductivity of GaN and how this effects the device performance. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2005. Vol. 281, nr 1, s. 101-106
Nyckelord [en]
hydride vapor phase epitaxy, metalorganic vapor phase epitaxy, nitrides
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46089DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.03.017OAI: oai:DiVA.org:liu-46089DiVA, id: diva2:266985
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Paskova, TanjaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Paskova, TanjaMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 57 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf