liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Hot-wall MOCVD grown homoepitaxial GaN layers with intense intrinsic excitonic structure
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
2005 (Engelska)Ingår i: Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 202, 2005, Vol. 202, nr 5, s. 739-743Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We report on a new approach to MOCVD growth of GaN, i.e. hot-wall MOCVD, and its application to homoepitaxy on GaN substrates. The quality of the epilayers is examined by photoluminescence (PL). Homoepitaxially hot-wall MOCVD grown GaN layers show (1) intense PL free-exciton emissions relative to the intensity of the principal bound-exciton emission and (2) homogeneous cathodoluminescence emission within the terraces developed during the step-flow growth. Impurity concentrations in the material are measured by secondary ion mass spectrometry (SIMS). (c) 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2005. Vol. 202, nr 5, s. 739-743
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46120DOI: 10.1002/pssa.200461417OAI: oai:DiVA.org:liu-46120DiVA, id: diva2:267016
Konferens
Int. Workshop on Nitride Semiconductors
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2010-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaIvanov, Ivan GueorguievHallin, ChristerJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaIvanov, Ivan GueorguievHallin, ChristerJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologi
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 83 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf