liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Growth of high quality epitaxial Si1-x-yGexCy layers by using chemical vapor deposition
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0001-9140-6724
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0002-2837-3656
Visa övriga samt affilieringar
2004 (Engelska)Ingår i: Applied Surface Science, ISSN 0169-4332, E-ISSN 1873-5584, Vol. 224, nr 01-Apr, s. 46-50Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The epitaxial quality of non-selective and selective deposition of Si1-x-yGexCy (0 less than or equal to x less than or equal to 0.30, 0 less than or equal to y less than or equal to 0.02) layers has been optimized by using high-resolution reciprocal lattice mapping (HRRLM). The main goal was to incorporate a high amount of substitutional carbon atoms in Si or Si1-xGex matrix without creating defects. The carbon incorporation behavior was explained by chemical and kinetic effects of the reactant gases during epitaxial process. Although high quality epitaxial Si1-yCy layers can be deposited, lower electron mobility compared to Si layers was observed. (C) 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2004. Vol. 224, nr 01-Apr, s. 46-50
Nyckelord [en]
chemical vapor deposition, epitaxy, SiGeC alloys, high-resolution reciprocal lattice mapping
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46275DOI: 10.1016/j.apsusc.2003.08.026OAI: oai:DiVA.org:liu-46275DiVA, id: diva2:267171
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Person

Persson, PerHultman, Lars

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Persson, PerHultman, Lars
Av organisationen
Tekniska högskolanTunnfilmsfysik
I samma tidskrift
Applied Surface Science
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 169 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf