liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Structural impact of LPE buffer layer on sublimation grown 4H-SiC epilayers
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
2003 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 256, nr 3-4, s. 276-282Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The objective of this work was to study the effect of a liquid phase epitaxy buffer layer on the development of defects in sublimation grown epitaxial layers of 4H-SiC. The results were analyzed with the aid of optical microscope, scanning electron microscope, high-resolution X-ray diffraction and synchrotron white beam X-ray topography. A pronounced effect of the liquid phase epitaxy buffer layer on formation of dislocations and micropipes is observed in the sublimation epitaxy layers. It has been shown that during sublimation growth of epilayer with a thin liquid phase epitaxy buffer layer (0.1µm) defects may undergo transformation and stacking faults can be formed. Sublimation grown epilayers grown on a thick liquid phase epitaxy buffer layer (1µm) also showed a symmetrical distribution of misfit dislocations along the <112¯0> and [11¯00] directions. © 2003 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2003. Vol. 256, nr 3-4, s. 276-282
Nyckelord [en]
A1. Epilayers, A1. Synchrotron white beam X-ray topography, A1. X-ray diffraction, A3. Liquid phase epitaxy, B1. SiC
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46505DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01337-XOAI: oai:DiVA.org:liu-46505DiVA, id: diva2:267401
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Yakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelKakanakova-Georgieva, AneliaJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Yakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelKakanakova-Georgieva, AneliaJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 97 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf