liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High-resolution Si2p core-level and low-energy electron diffraction studies of the Ca/Si(1 1 1)-(3 × 2) surface
Graduate School of Advanced Integration Science, Chiba University, Chiba 263-8522, Japen.
Department of Physics, Graduate School of Science, Tohoku University, Sendai 980-8578, Japan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Yt- och Halvledarfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Yt- och Halvledarfysik.
2003 (Engelska)Ingår i: Surface Science, ISSN 0039-6028, E-ISSN 1879-2758, Vol. 532-535, s. 628-632Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We have investigated the surface structure of the Ca/Si(1 1 1)-(3 × 2) surface using low-energy electron diffraction (LEED) and high-resolution core-level photoelectron spectroscopy. Weak ×2 streaks were observed in LEED at 300 K. After cooling the sample to 100 K, ×2 spots, which originate from both (3 × 2) and c(6 × 2) periodicities, appeared. By considering the energy shift and intensity of each surface component observed in the Si2p core-level spectra, we conclude that the structure of the (3 × 2) surface is basically the same as that of the honeycomb-chain-channel model with a Ca coverage of 1/6 ML. Further, we propose that the weak ×2 streaks at 300 K result from thermally induced disorder. © 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2003. Vol. 532-535, s. 628-632
Nyckelord [en]
Low energy electron diffraction (LEED), Photoelectron spectroscopy, Semiconducting surfaces, Silicon, Surface structure, morphology, roughness, and topography
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46595DOI: 10.1016/S0039-6028(03)00188-2OAI: oai:DiVA.org:liu-46595DiVA, id: diva2:267491
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Zhang, HanminUhrberg, Roger

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Zhang, HanminUhrberg, Roger
Av organisationen
Tekniska högskolanYt- och Halvledarfysik
I samma tidskrift
Surface Science
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 77 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf