liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Residual strain in HVPE GaN free-standing and re-grown homoepitaxial layers
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Vise andre og tillknytning
2003 (engelsk)Inngår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 195, nr 3, s. 516-522Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

The lattice parameters of as-grown hydride vapor phase epitaxy GaN layers on sapphire, free-standing layers after the substrate lift-off, and homoepitaxial layers grown on the free-standing layers are measured. The in-plane and out-of-plane strains are calculated. It is found that the substrate removal leads to strain relaxation in the crack-free GaN free-standing layers to a certain extent. A small increase of the strain in the GaN homoepitaxial layers compared to the free-standing layers is observed. Cathodoluminescence (CL) spectroscopy and imaging, photoluminescence (PL) and Raman measurements are used as complementary tools in the residual strain analysis.

sted, utgiver, år, opplag, sider
2003. Vol. 195, nr 3, s. 516-522
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46738DOI: 10.1002/pssa.200306145OAI: oai:DiVA.org:liu-46738DiVA, id: diva2:267634
Tilgjengelig fra: 2009-10-11 Laget: 2009-10-11 Sist oppdatert: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Andre lenker

Forlagets fulltekst

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaPaskova, TanjaPaskov, PlamenMonemar, Bo

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Darakchieva, VanyaPaskova, TanjaPaskov, PlamenMonemar, Bo
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Physica status solidi. A, Applied research

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetric

doi
urn-nbn
Totalt: 97 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf