liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Modeling, optimization, and growth of GaN in a vertical halide vapor-phase epitaxy bulk reactor
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0002-2597-3322
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
Visa övriga samt affilieringar
2008 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 310, nr 5, s. 906-910Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

In this work we are presenting growth results of thick gallium nitride (GaN), numerical modeling and optimization of a vertical hot-walled halide vapor-phase epitaxy reactor. Using a simulation model, the growth rate and thickness uniformity of the GaN layers have been predicted and optimized. The simulation results have been correlated with experiments to verify the model. Using constant precursor flows, the average growth rate over a 2 in substrate was increased with a factor of four by only optimizing the composition of N2 and H2 in the carrier gas and the carrier gas flow rates. With a simple sticking model, assuming Ga mass transport-limited growth, the growth rate and thickness uniformity could be estimated. Photoluminescence mapping of the grown layer shows that the layers have excellent optical properties and a high degree of uniformity. © 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2008. Vol. 310, nr 5, s. 906-910
Nyckelord [en]
A1. Fluid flows, A1. Growth models, A1. Mass transfer, A2. Growth from vapor, A3. Hydride vapor-phase epitaxy, B2. Semiconducting III-V materials
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-46778DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.11.062OAI: oai:DiVA.org:liu-46778DiVA, id: diva2:267674
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Hemmingsson, CarlPozina, GaliaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hemmingsson, CarlPozina, GaliaMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 70 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf