liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Kinetics of residual doping in 4H-SiC epitaxial layers grown in vacuum
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Departamento De Fisica Da Universidade, 3004-516 Coimbra, Portugal.
Solid State Electronics, Royal Institute of Technology, P.O. Box E229, S-164 40 Kista, Sweden.
Visa övriga samt affilieringar
2002 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 240, nr 3-4, s. 501-507Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Investigation on residual Al, B, and N co-doping of 4H-SiC epitaxial layers is reported. The layers were produced by sublimation epitaxy in Ta growth cell environment at different growth temperatures and characterized by secondary ion mass spectrometry. The vapor interaction with Ta was considered through calculations of cohesive energies of several Si-, Al-, B-, and N-containing vapor molecules and also of diatomic Ta-X molecules. An analysis of kinetic mechanisms responsible for impurity incorporation is performed. Among residuals, B exhibits a stronger incorporation dependence on temperature and growth at lower temperatures can favor B decrease in the layers. Under the growth conditions in this study (Ta environment and presence of attendant Al and N), B incorporation is assisted by Si2C vapor molecule. Boron tends to occupy carbon sites at higher temperatures, i.e. higher growth rates. © 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 240, nr 3-4, s. 501-507
Nyckelord [en]
A1. Doping, A1. Impurities, A3. Vapor phaseepitaxy, B1. Inorganic compounds, B2. Semiconducting materials
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47028DOI: 10.1016/S0022-0248(02)01077-1OAI: oai:DiVA.org:liu-47028DiVA, id: diva2:267924
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaYakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaYakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 98 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf