liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Cathodoluminescence identification of donor-acceptor related emissions in as-grown 4H-SiC layers
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Royal Institute of Technology, PO Box E229, S-16440 Kista, Sweden.
Visa övriga samt affilieringar
2002 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 91, nr 5, s. 2890-2895Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A comparative analysis of cathodoluminescence spectra in 4H-SiC layers with different N, Al, and B content is reported. The layers were produced by sublimation epitaxy and residual impurity concentrations were determined by secondary ion mass spectrometry. Epilayers doped with B in a wide concentration range, 5×1015-3×1018cm-3, were achieved. Evidence of N, Al, and B related emissions by cathodoluminescence experiments is presented. Differences in the luminescence emitted by the layers are established that are attributed to different B content and impurity cooperation. The characteristics of broad green emission, originating from B-related centers, at 4.6 K, 300 K, as well as in high temperature annealed layers are discussed. The experimental results suggest that boron is involved in more than one deep acceptor center. © 2002 American Institute of Physics.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 91, nr 5, s. 2890-2895
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47091DOI: 10.1063/1.1436293OAI: oai:DiVA.org:liu-47091DiVA, id: diva2:267987
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaYakimova, RositsaHenry, AnneSyväjärvi, MikaelJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaYakimova, RositsaHenry, AnneSyväjärvi, MikaelJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 102 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf