liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Trapped carrier electroluminescence (TraCE) - A novel method for correlating electrical and optical measurements
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
2001 (Engelska)Ingår i: Physica B, Vols. 308-310, 2001, Vol. 308-310, s. 1165-1168Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

SiC is a semiconductor with very good material properties for high power, high frequency and high temperature applications. During device fabrication irradiation with particles is often used, e.g., ion-implantation, which creates intrinsic defects. The most persistent defect in SiC is DI that appears after irradiation and subsequent high temperature annealing. A direct method called Trapped Carrier Electroluminescence (TraCE) for correlating minority carrier traps with luminescence measurements is presented. A semi-transparent Schottky diode under reverse bias is illuminated with a laser pulse of above band gap light to create minority carriers that are captured to traps in the space charge region. Majority carriers are introduced when the reverse bias is removed and the space charge region is reduced. The majority carriers recombine with the trapped minority carriers and the emitted light from the recombination is detected. TraCE has been used to study and correlate the DI bound exciton luminescence from intrinsic defects in SiC with an electrically observed hole trap HS1. © 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2001. Vol. 308-310, s. 1165-1168
Nyckelord [en]
DI, Defects, SiC, TraCE
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47173DOI: 10.1016/S0921-4526(01)00936-XOAI: oai:DiVA.org:liu-47173DiVA, id: diva2:268069
Konferens
ICDS-21
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2010-12-09

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Carlsson, FredrikStorasta, LiutaurasBergman, PederJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Carlsson, FredrikStorasta, LiutaurasBergman, PederJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 60 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf