liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Impurity-controlled dopant activation: Hydrogen-determined site selection of boron in silicon carbide
Department of Atomic Physics, Budapest Univ. of Technol. and Econ., Budafoki út 8, Budapest, H-1111, Hungary.
Deák, P., Department of Atomic Physics, Budapest Univ. of Technol. and Econ., Budafoki út 8, Budapest, H-1111, Hungary.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
2001 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 79, nr 17, s. 2746-2748Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The geometry and formation energy of substitutional B and Al dopants as well as their complexes with hydrogen have been calculated in 4H-SiC using first-principles methods. Our results show that boron selecting the silicon site and, therefore, getting activated as a shallow acceptor depends on the presence of hydrogen which is promoted into the crystal by boron itself. Without hydrogen, boron would mostly be incorporated at the carbon site. Aluminum does not show this behavior: it always selects the silicon site and is incorporated independently of hydrogen. © 2001 American Institute of Physics.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2001. Vol. 79, nr 17, s. 2746-2748
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47240DOI: 10.1063/1.1410337OAI: oai:DiVA.org:liu-47240DiVA, id: diva2:268136
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Nguyen, Tien SonJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Nguyen, Tien SonJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 136 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf