liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High energy photoemission investigations of SiO2/SiC samples
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
II. Inst. Exp. Phys., Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg, Germany.
Visa övriga samt affilieringar
2001 (Engelska)Ingår i: Applied Surface Science, ISSN 0169-4332, E-ISSN 1873-5584, Vol. 172, nr 3-4, s. 253-259Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Chemically etched and directly load-locked SiO2/SiC samples are investigated using a photon energy of 3.0 keV. Si 2p and C 1s spectra recorded at different electron emission angles each show two components originating from SiC, SiO2 and graphite like carbon, respectively. The relative intensity of these are extracted and compared to calculated intensity variations. For the samples investigated, best agreement between experimental and calculated intensity variations is obtained when assuming a graphite like layer on top of the oxide. No graphite like carbon at the SiO2/SiC interface was detected, even on a sample for which the graphite like carbon contribution at the surface corresponds to a layer thickness of only 0.05 angstrom. The energy separation between the oxide and carbide components in the Si 2p spectrum was monitored before and after Ar+ sputtering cycles and before and after in situ heating. The separation increased directly upon sputtering while only in situ heating does not affect it. We suggest that defects induced by the sputtering give rise to the increase, observed in the energy separation.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2001. Vol. 172, nr 3-4, s. 253-259
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47447DOI: 10.1016/S0169-4332(00)00858-8OAI: oai:DiVA.org:liu-47447DiVA, id: diva2:268343
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Virojanadara, ChariyaJohansson, Leif

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Virojanadara, ChariyaJohansson, Leif
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysikInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Applied Surface Science
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 36 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf