liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Computational modeling of SiC epitaxial growth in a hot wall reactor
ABB Corporate Research, S-721 78 Västerås, Sweden.
ABB Corporate Research, S-721 78 Västerås, Sweden, Faxén Laboratory, Royal Institute of Technology, S-100 44 Stockholm, Sweden.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
ABB Corporate Research, S-721 78 Västerås, Sweden.
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 220, nr 4, s. 560-571Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A computational model for chemical vapor deposition (CVD) of silicon carbide (SiC) in a hot-wall reactor is developed, where the susceptor is tapered with a rectangular cross-section. The present work focuses on the advection-diffusion-reaction process in the susceptor. The precursors are propane and silane, and the carrier gas is hydrogen with mass fraction higher than 99%. Computed growth rates under different system pressures and precursor concentrations are compared to the experimental data measured on samples grown in the Linkoping CVD reactor. The gas composition distribution in the susceptor and the growth rate profile on the susceptor floor are shown and analyzed. Dependence of the growth rate on precursor concentrations is investigated. It is demonstrated that the growth rate of SiC may either be carbon transport limited or silicon controlled, depending on the input carbon-to-silicon ratio.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 220, nr 4, s. 560-571
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47520DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00843-5OAI: oai:DiVA.org:liu-47520DiVA, id: diva2:268416
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Hallin, Christer

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hallin, Christer
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 54 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf