liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
High-temperature excitons in GaAs quantum wells embedded in AlAs/GaAs superlattices
Faculty of Physics, Dept. Condensed Matter Phys., S., Sofia, Bulgaria.
Faculty of Physics, Dept. Condensed Matter Phys., S., Sofia, Bulgaria.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Faculty of Physics, Dept. Condensed Matter Phys., S., Sofia, Bulgaria.
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Vacuum, ISSN 0042-207X, E-ISSN 1879-2715, Vol. 58, nr 2, s. 478-484Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Photoluminescence (PL) spectra of GaAs quantum wells embedded in short-period AlAs/GaAs superlattices have been measured at 2 K and at room temperature. Two approaches have been applied in order to investigate the mechanisms of radiative recombination in these structures. In the first one, we studied the excitation density dependence of the PL intensity. In the second approach a line-shape analysis of the PL spectra is performed by means of a statistical model, which includes both free exciton, and free carrier recombinations. The fit based on this model reproduces with high accuracy the experimental spectra and allows to assess the relative contributions of excitons and free carriers to the radiative recombination process. The results of both approaches indicate the predominance of free excitons in the radiative recombination at room temperature.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 58, nr 2, s. 478-484
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-47615DOI: 10.1016/S0042-207X(00)00208-6OAI: oai:DiVA.org:liu-47615DiVA, id: diva2:268511
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Ivanov, Ivan Gueorguiev

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Ivanov, Ivan Gueorguiev
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Vacuum
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 57 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf