liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Sublimation epitaxy of AlN layers grown by different conditions on 4H-SiC substrates
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, ISSN 1454-4164, E-ISSN 1841-7132, Vol. 9, nr 1, s. 213-216Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Epitaxial layers of aluminium nitride were grown at temperature 2100 degrees C on 10X10 mm(2) 4H-SiC substrates via a sublimation-recondensation method in an RF heated graphite furnace. The source material was polycrystalline sintered AIN. Growths of AIN layers in vacuum and pure nitrogen at 20 mbar were compared. MA maximum growth rate of 70 mu m/h was achieved in a pure N-2 atmosphere. The surface morphology reveals the hexagonal symmetry of the seeds, suggesting an epitaxial growth. This was confirmed by High-Resolution X-Ray Diffraction. The spectra showed a strong and well defined (0002) reflection positioned at 36.04 degrees in a symmetric theta-2 theta scan for both samples. Micro-Raman spectroscopy revealed that the films had a wurtzite structure. Rutherford Backscattering Spectrometry indicated the quality with a relative chi(min) parameter 0.68.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 9, nr 1, s. 213-216
Nyckelord [en]
AlN, sublimation epitaxy, HRXRD, RBS
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48035OAI: oai:DiVA.org:liu-48035DiVA, id: diva2:268931
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-13

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Beshkova, MilenaYakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Beshkova, MilenaYakimova, Rositsa
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 107 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf