liu.seSearch for publications in DiVA
Endre søk
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Strain evolution in high temperature AlN buffer layers for HVPE-GaN growth
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Vise andre og tillknytning
2002 (engelsk)Inngår i: Physica status solidi. A, Applied research, ISSN 0031-8965, E-ISSN 1521-396X, Vol. 190, nr 1, s. 59-64Artikkel i tidsskrift (Fagfellevurdert) Published
Abstract [en]

High temperature AlN buffer layers are deposited on a-plane sapphire by reactive magnetron sputtering. The effect of the buffer thickness on the AlN structural properties and surface morphology are studied in correlation with the subsequent hydride vapour phase epitaxy of GaN. A minimum degree of mosaicity and screw dislocation density is determined for a 50 nm thick AlN buffer. With increasing the AlN thickness, a strain relaxation occurs as a result of misfit dislocation generation and higher degree of mosaicity. A blue shift of the E-1(TO) frequency evaluated by means of infrared reflection spectroscopy is linearly correlated with an increase in biaxial compressive stress in the films through the IR stress factor k(E1)(b) = 2.57 +/- 0.26 cm(-1) GPa(-1).

sted, utgiver, år, opplag, sider
2002. Vol. 190, nr 1, s. 59-64
HSV kategori
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48172OAI: oai:DiVA.org:liu-48172DiVA, id: diva2:269068
Tilgjengelig fra: 2009-10-11 Laget: 2009-10-11 Sist oppdatert: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltekst mangler i DiVA

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaBirch, JensPaskov, PlamenTungasmita, SukkanestePaskova, TanjaMonemar, Bo

Søk i DiVA

Av forfatter/redaktør
Darakchieva, VanyaBirch, JensPaskov, PlamenTungasmita, SukkanestePaskova, TanjaMonemar, Bo
Av organisasjonen
I samme tidsskrift
Physica status solidi. A, Applied research

Søk utenfor DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetric

urn-nbn
Totalt: 266 treff
RefereraExporteraLink to record
Permanent link

Direct link
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annet format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annet språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf