liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Implementation of hot-wall MOCVD in the growth of high-quality GaN on SiC
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.ORCID-id: 0000-0001-9140-6724
Visa övriga samt affilieringar
2003 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, Trans Tech Publications , 2003, Vol. 433-4, s. 991-994Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

This paper reports on the growth of high-quality GaN layers on SiC substrates by hotwall MOCVD. Use of AlN buffer with a thickness exceeding 50 nm is employed for the GaN deposition and it is found to encompass most of the misfit defects. A narrower X-ray rocking curve over asymmetric than over symmetric reflection is measured - full width at a half maximum (FWHM) of 350 arcsec vs. FWHM of 490 arcsec for 10.4 and 00.2 peaks, respectively, indicating high overall quality of the film. The free exciton photoluminescence emission peak has rather narrow FWHM of 5 meV. The typical thickness of the GaN layers is about 2 mum and they are completely depleted according to the capacitance-voltage profiling, which corresponds to estimated residual doping of less than 5x10(14) cm(-3). Only in some cases when the GaN layer is not depleted, deep level transient spectroscopy is performed and two deep traps with activation energies of 0.26 and 0.59 eV below the conduction band are measured.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications , 2003. Vol. 433-4, s. 991-994
Nyckelord [en]
capacitance-voltage, deep level transient spectroscopy, GaN, hot-wall MOCVD, photoluminescence, transmission electron microscopy, X-ray diffraction
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48569OAI: oai:DiVA.org:liu-48569DiVA, id: diva2:269465
Konferens
ECSCRM 2002
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2016-08-31

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Forsberg, UrbanHallin, ChristerPersson, PerStorasta, LiutaurasPozina, GaliaBirch, JensHultman, LarsJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Forsberg, UrbanHallin, ChristerPersson, PerStorasta, LiutaurasPozina, GaliaBirch, JensHultman, LarsJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterialInstitutionen för fysik, kemi och biologiTunnfilmsfysik
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 249 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf