liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Properties of AlN layers grown by sublimation epitaxy
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
2003 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 433-436, 2003, Vol. 433-4, s. 995-998Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Epitaxial layers of aluminum nitride (AlN)less than or equal to 80 mum thick have been grown at the temperatures 1900 and 2100 degreesC on 10x10mm(2) 4H-SiC substrates via sublimation recondensation in a RF heated graphite furnace. The source material was polyerystalline sintered AlN. A maximum growth rate of 80 mum/h was achieved at 2100degreesC and seed to source separation of I mm. The surface morphology reflects the hexagonal symmetry of the seed that suggesting an epitaxial growth. All crystals show strong and well defined single crystalline XRD patterns. Only the (002) reflection positioned at around 36.04 was observed in symmetric Theta-2Theta scan. The rocking curves FWHM (full width half maximum) and peak positions arc reported.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2003. Vol. 433-4, s. 995-998
Nyckelord [en]
AlN, growth rate, morphology, sublimation epitaxy, XRD
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48570OAI: oai:DiVA.org:liu-48570DiVA, id: diva2:269466
Konferens
ECSCRM2002
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2010-12-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Beshkova, MilenaBirch, JensKakanakova-Georgieva, AneliaYakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Beshkova, MilenaBirch, JensKakanakova-Georgieva, AneliaYakimova, Rositsa
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterialTunnfilmsfysik
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 249 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf