liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Aluminum doping of epitaxial silicon carbide grown by hot-wall CVD, Effect of process parameters
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-8116-9980
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Swedish Royal Institute of Technolology, Kista, Sweden.
Visa övriga samt affilieringar
2002 (Engelska)Ingår i: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Tsukuba, 2001 / [ed] S. Yoshida, S. Nishino, H. Harima and T. Kimoto, 2002, Vol. 389-3, s. 203-206Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Intentional doping of aluminum in 4H and 6H SiC has been performed using a hot-wall CVD reactor. The dependence of aluminum incorporation on temperature, pressure, C/Si ratio, growth rate, and TMA flow has been investigated. The aluminum incorporation showed to be polarity dependent. The high aluminum incorporation on the Si-face is closely related to the carbon coverage on the SiC surface. Changes in process parameters changes the effective C/Si ratio close to the SiC surface. Increased growth rate and C/Si ratio increases the aluminum incorporation on the Si-face. Diffusion limited incorporation occurs at high growth rate. Reduced pressure increases the effective C/Si ratio, and at low growth rate, the aluminum incorporation increases initially, levels off at a critical pressure, and continues to decrease below the critical pressure. The aluminum incorporation showed to be constant in a temperature range of 50°C. The highest atomic concentration of aluminum observed in this study was 3·1017 and 8·1018 cm-3 in Si and C-face, respectively.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 389-3, s. 203-206
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; Vol. 389-393
Nyckelord [en]
aluminum, CVD, doping, hot-wall, thermodynamical calculations
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48798ISBN: 087849894X (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-48798DiVA, id: diva2:269694
Konferens
ICSCRM2001, International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, October 28-November 2, 2001, Tsukuba, Japan
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2018-04-13Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Forsberg, UrbanDanielsson, ÖrjanHenry, AnneJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Forsberg, UrbanDanielsson, ÖrjanHenry, AnneJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologi
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

isbn
urn-nbn
Totalt: 106 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf