liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The effect of hydrogen diffusion in p- and n-type SiC Schottky diodes at high temperatures
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik.
SSENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Ishinomaki Senshu Univ, Sch Engn, Ishinomaki 9868580, Japan.
SSENCE, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Div Appl Phys, SE-58183 Linkoping, Sweden Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden Ishinomaki Senshu Univ, Sch Engn, Ishinomaki 9868580, Japan.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Visa övriga samt affilieringar
2002 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 1419-1422Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We present here the effect of a hydrogen anneal at 600degreesC for Schottky sensor devices based on n- and p-type 4H SiC. The devices have gate contacts of Ta/Pt, or TaSix/Pt. The catalytic metal gate dissociates hydrogen and thus promotes diffusion of hydrogen atoms into the SiC, where the atoms will trap or react with different impurities, defects or surface states. This will change parameters such as the carrier concentrations, the defect density of the material or the surface resistivity at the SiC/SiO2 interface. The current-voltage and the capacitance-voltage characteristics were measured before and after annealing in hydrogen and oxygen containing atmosphere, and the results show a reversible effect in the I-V characteristics.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 389-3, s. 1419-1422
Nyckelord [en]
annealing, gas sensors, high temperature, hydrogen diffusion, Schottky diodes
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48831OAI: oai:DiVA.org:liu-48831DiVA, id: diva2:269727
Konferens
ICSCRM2001
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2014-10-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Unéus, LarsJensen, MonaYakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelHenry, AnneJanzén, ErikEkedahl, Lars-GunnarLloyd-Spets, Anita

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Unéus, LarsJensen, MonaYakimova, RositsaSyväjärvi, MikaelHenry, AnneJanzén, ErikEkedahl, Lars-GunnarLloyd-Spets, Anita
Av organisationen
Tekniska högskolanTillämpad FysikInstitutionen för fysik, kemi och biologiHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 238 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf