liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Growth of AlN films by hot-wall CVD and sublimation techniques: Effect of growth cell pressure
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Visa övriga samt affilieringar
2002 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 389-393, 2002, Vol. 389-3, s. 1469-1472Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Aluminum nitride (AlN) films were grown on off-axis, Si-terminated 4H-SiC substrates by hot-wall CVD and sublimation techniques. The films were investigated by Infrared reflectance, Optical microscopy, Energy Dispersive X-ray analysis and Cathodoluminescence in a Scanning Electron Microscope with respect to their thickness, morphological, compositional and luminescence properties, in order to examine the influence of the growth cell pressure in either of the two deposition methods. Good quality thick AlN films were obtained by hot-wall CVD at temperature of 1200degreesC and reduced pressure of 100 mbar as reflected in the near stoichiometric N/Al ratio in these layers and in the appearance of the characteristic AlN near band edge emission. The AlN sublimation grown films at temperature of 2100degreesC suffered from island growth irrespective of the background pressure. The supersaturation conditions that affect strongly the growth mode became more favorable when the temperature was reduced to 1900degreesC.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 389-3, s. 1469-1472
Nyckelord [en]
aluminium nitride, cathodoluminescence, energy dispersive X-ray analysis, hot-wall CVD, infrared reflectance, optical microscopy, sublimation
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48834OAI: oai:DiVA.org:liu-48834DiVA, id: diva2:269730
Konferens
ICSCRM2001
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2010-12-07

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanMagnusson, BjörnYakimova, RositsaJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanMagnusson, BjörnYakimova, RositsaJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 118 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf