liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Oxidation studies of 4H-SiC(0001) and (0001)
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
2002 (Engelska)Ingår i: Surface Science, ISSN 0039-6028, E-ISSN 1879-2758, Vol. 505, nr 1-3, s. 358-366Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

The results of a photoemission study of Si- and C-terminated 4H SiC surfaces after different oxygen exposures are presented and discussed. The surfaces were oxidized gradually from 1 to 1.2 x 10(6) L at both room temperature and at 800 degreesC. Recorded Si 2p and C 1s spectra show at both temperatures only two oxidations states, Si1- and Si4- for the Si-terminated surface and Si2+ and Si4+ for the C-terminated surface, For the Si-terminated surface, no carbon containing by-product can be detected at the interface or at the surface after the largest exposure investigated. For the C-terminated surface, oxygen exposures are shown to affect the surface related carbon components quite strongly and the Si2+ oxidation state is interpreted to originate from a mixture of Si-O-C bonding, The surface/interface related carbon decreases dramatically after the largest exposure investigated but is not eliminated as on the Si-terminated surface. For the latter, a clean and well ordered root3 surface is shown to be possible to re-create by in situ heating even after the largest oxygen exposures made. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. 505, nr 1-3, s. 358-366
Nyckelord [en]
silicon carbide, oxidation, silicon oxides, photoemission (total yield)
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-48906DOI: 10.1016/S0039-6028(02)01154-8OAI: oai:DiVA.org:liu-48906DiVA, id: diva2:269802
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Virojanadara, ChariyaJohansson, Leif

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Virojanadara, ChariyaJohansson, Leif
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterialInstitutionen för fysik, kemi och biologi
I samma tidskrift
Surface Science
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 36 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf