liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Neutron irradiation of 4H SiC
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2001 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 353-356, 2001, Vol. 353-3, s. 555-558Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The effect of neutron irradiation on 4H SiC epitaxial layers are studied. Several different doses of both fast and thermal neutrons have been used and the samples have been annealed from 500 degreesC to 2000 degreesC. The defect concentration dependence on the fast neutron flux and on the annealing temperature is investigated. At temperatures from 900 degreesC to 1300 degreesC new lines between 3960 Angstrom and 4270 Angstrom appear. They are similar in behavior to the E-A and D1 spectra and are assumed to be related to excitons bound to isoelectronic centers. After annealing at 2000 degreesC another new line appears at 3809 Angstrom. The similarity of this line with phosphorus in 6H makes us tentatively ascribe it to phosphorus.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2001. Vol. 353-3, s. 555-558
Nyckelord [en]
donors, intrinsic defects, isoelectronic defects, neutron irradiation, neutron transmutation doping, phosphorus, photoluminescence
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49279OAI: oai:DiVA.org:liu-49279DiVA, id: diva2:270175
Konferens
ECSCRM2000
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2010-12-08

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Carlsson, FredrikStorasta, LiutaurasMagnusson, BjörnBergman, PederJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Carlsson, FredrikStorasta, LiutaurasMagnusson, BjörnBergman, PederJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 101 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf