liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Photoluminescence study of CVD layers highly doped with nitrogen
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Linkoping Univ, Dept Phys & Measurement Technol, SE-58183 Linkoping, Sweden ABB Corp Res, SE-72178 Vasteras, Sweden Royal Inst Technol, SE-16440 Kista, Sweden.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
2000 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 338-342, 2000, Vol. 338-342, s. 619-622Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

From a systematic study of highly doped n-type 4H-SiC epilayers we observe a photoluminescence spectrum, which was previously associated with the recombination of a bound exciton at the neutral boron acceptor. Electrical measurements performed on these layers show clearly n-type conductivity. It was feasible to dope and measure reproducibly the layers from low 10(17) to mid 10(18) cm(-3). It was not possible to determine the doping from Capacitance Voltage measurements for the samples grown with the highest doping (>6.10(18) cm(-3)). However Secondary Ion Mass spectrometry did not reveal any boron impurities in the layers and shows good agreement with electrical measurements regarding the nitrogen concentration.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. Vol. 338-342, s. 619-622
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 338-342
Nyckelord [en]
Mott transition, n-type doping, photoluminescence
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49440DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.619ISBN: 0878498540 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-49440DiVA, id: diva2:270336
Konferens
ICSCRM'99: 8th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Research Triangle Park, North Carolina, USA, 10-15 October, 1999
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2015-02-26

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Forsberg, UrbanHenry, AnneJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Forsberg, UrbanHenry, AnneJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 71 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf