liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Electroluminescence from implanted and epitaxially grown pn-diodes
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial.ORCID-id: 0000-0002-2597-3322
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum, Vols. 338-343, Trans Tech Publications Inc., 2000, Vol. 338-3, s. 687-690Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The electroluminescence from pn-diodes with (1) aluminum doped epitaxially grown, (2) aluminum implanted or (3) aluminum and boron implanted p-layer have been investigated. The temperature dependence for both the spectra and the decays of the major spectral components have been investigated at temperatures from 80 K to 550 K. The implanted diodes show implantation damage in the form of the D-1 center and lack of emission from the aluminum center. The epitaxial diodes show luminescence from the aluminum center. The band edge luminescence is visible above 150 K for the epitaxial diode and above 300 K for the implanted. The emission from deep boron can be seen in the aluminum and boron co-implanted diode and in the epitaxially grown diode that have an unintentional boron doping below 10(17) cm(-3).

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2000. Vol. 338-3, s. 687-690
Serie
Materials Science Forum, ISSN 1662-9752 ; 338-342
Nyckelord [en]
aluminium, boron, deep levels, defects, electroluminescence, implantation, pn-diodes
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49446DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.687ISBN: 9780878498543 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-49446DiVA, id: diva2:270342
Konferens
8th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 1999, Research Triangle Park, North Carolina, USA, October 10-15, 1999
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2015-09-22

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Carlsson, FredrikStorasta, LiutaurasHemmingsson, CarlBergman, PederJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Carlsson, FredrikStorasta, LiutaurasHemmingsson, CarlBergman, PederJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiHalvledarmaterial
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 112 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf