liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Real-time assessment of selected surface preparation regimens for 4H-SiC surfaces using spectroscopic ellipsometry
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-2749-8008
NC State University, Box 8202, Raleigh, NC 26795, USA.
NC State University, Box 8202, Raleigh, NC 26795, USA.
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Surface Science, ISSN 0039-6028, E-ISSN 1879-2758, Vol. 464, nr 1, s. L703-L707Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Spectroscopic ellipsometry (SE) was used to assess the removal of overlayer material from 4H-SiC (0001) and (0001) [Si- and C-face] surfaces in real time and, in particular, the critical final step of an otherwise standard RCA cleaning regimen commonly used to prepare SiC surfaces for contact formation. The treatments selected [buffered hydrofluoric acid (HF), concentrated HF, and dilute HF] removed 4-40 Angstrom of effective SiO2 overlayer thickness from these surfaces. The concentrated HF treatment yielded the best surface, i.e. that with the most abrupt transition region between bulk and surface and with the most oxide material removed. A fourth treatment regimen (sequential application of methanol, water, and 5% HF in methanol) was also developed for comparison with the full RCA clean. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Elsevier , 2000. Vol. 464, nr 1, s. L703-L707
Nyckelord [en]
Contact, ellipsometry, etching, semiconducting surfaces, silicon carbide, vicinal single crystal surfaces
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49575DOI: 10.1016/S0039-6028(00)00689-0OAI: oai:DiVA.org:liu-49575DiVA, id: diva2:270471
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-12Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Järrendahl, Kenneth

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Järrendahl, Kenneth
Av organisationen
Institutionen för fysik, kemi och biologiTekniska högskolan
I samma tidskrift
Surface Science
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 68 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf