liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Hydride vapour phase epitaxy growth and characterization of thick GaN using a vertical HVPE reactor
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0002-2597-3322
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.
Linköpings universitet, Tekniska högskolan. Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Materiefysik.ORCID-id: 0000-0002-9840-7364
Aixtron AG, D-52072 Aachen, Germany.
Visa övriga samt affilieringar
2007 (Engelska)Ingår i: Journal of Crystal Growth, ISSN 0022-0248, E-ISSN 1873-5002, Vol. 300, nr 1, s. 32-36Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Growth of 2-inch diameter bulk GaN layers with a thickness up to 2 mm is demonstrated in a vertical hydride vapour phase growth reactor. Morphology, dislocations, optical and electrical properties of the material have been investigated using atomic force microscopy, optical microscopy, decorative etching in hot H3PO4, Hall measurements and low-temperature photoluminescence. Atomic force microscopy reveals a two-dimensional step flow growth mode with step bunching for layers with a thickness of 250 µm. As the growth proceeds, the morphology is changed to a hill and valley structure. The EPD was determined to 5×105 cm-2 for a 2 mm thick layer. The Hall mobility and the carrier concentration were determined. For a 1.7 mm thick layer at 300 K the mobility and the carrier concentration is 520 cm2/V s and about 4×1017 cm-3, respectively. Low-temperature photoluminescence spectra measured on a 350 µm thick freestanding layer show the DBE line at 3.4707 eV with a full-width half-maximum of 1 meV, confirming a stress free GaN layer. © 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2007. Vol. 300, nr 1, s. 32-36
Nyckelord [en]
A1. Crystal morphology, A1. Impurities, A2. Growth from vapour, A3. Hydride vapour phase epitaxi, B2. Semiconducting III-V materials
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-49973DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.223OAI: oai:DiVA.org:liu-49973DiVA, id: diva2:270869
Tillgänglig från: 2009-10-11 Skapad: 2009-10-11 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Hemmingsson, CarlPaskov, PlamenPozina, GaliaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Hemmingsson, CarlPaskov, PlamenPozina, GaliaMonemar, Bo
Av organisationen
Tekniska högskolanMateriefysik
I samma tidskrift
Journal of Crystal Growth
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 86 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf