liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
AlGaN Multiple Quantum Wells and AlN Grown in a Hot-wall MOCVD for Deep UV Applications
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0003-3203-7935
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2009 (Engelska)Ingår i: ECS Transactions, Vol. 25, Iss. 8, ECS , 2009, s. 837-844Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

AlxGa1-xN multiple quantum wells (MQW) were grown on AlN epilayer grown on 4H-SiC substrate. The growth was performed without interruption in a horizontal hot-wall MOCVD reactor using a mixture of hydrogen and nitrogen as carrier gases. The precursors were ammonia, trimethylaluminum and trimethylgallium. Results obtained from X-ray diffraction and infra-red reflectance were used to obtain the composition of the films when growing simple AlxGa1 xN layer. Visible reflectance was used to evaluate the thickness of the films. Finally the MQW parameters as thicknesses and composition variation were obtained by scanning transmission electron microscopy and demonstrated an agreement with the growth parameters used

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
ECS , 2009. s. 837-844
Nationell ämneskategori
Naturvetenskap
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-52723DOI: 10.1149/1.3207674ISBN: 978-156677745-2 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-52723DiVA, id: diva2:285304
Konferens
17th International Chemical Vapor Deposition Symposium (CVD-XVII) - 216th Meeting of the Electrochemical Society; Vienna; Austria
Tillgänglig från: 2010-01-11 Skapad: 2010-01-11 Senast uppdaterad: 2015-03-09

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Henry, AnneLundskog, AndersPalisaitis, JustinasIvanov, IvanKakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanPersson, PerJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Henry, AnneLundskog, AndersPalisaitis, JustinasIvanov, IvanKakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanPersson, PerJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanTunnfilmsfysik
Naturvetenskap

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
isbn
urn-nbn
Totalt: 181 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf