liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Hydrogen in InN: A ubiquitous phenomenon in molecular beam epitaxy grown material
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Institute of Tecnology and Nucl, Portugal .
Institute of Tecnology and Nucl, Portugal .
Institute of Tecnology and Nucl, Portugal .
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Ingår i: APPLIED PHYSICS LETTERS, ISSN 0003-6951, Vol. 96, nr 8, s. 081907-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

We study the unintentional H impurities in relation to the free electron properties of state-of-the-art InN films grown by molecular beam epitaxy (MBE). Enhanced concentrations of H are revealed in the near surface regions of the films, indicating postgrowth surface contamination by H. The near surface hydrogen could not be removed upon thermal annealing and may have significant implications for the surface and bulk free electron properties of InN. The bulk free electron concentrations were found to scale with the bulk H concentrations while no distinct correlation with dislocation density could be inferred, indicating a major role of hydrogen for the unintentional conductivity in MBE InN.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2010. Vol. 96, nr 8, s. 081907-
Nyckelord [en]
annealing, dislocation density, doping profiles, hydrogen, III-V semiconductors, impurities, indium compounds, molecular beam epitaxial growth, semiconductor doping, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, surface contamination, wide band gap semiconductors
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-54406DOI: 10.1063/1.3327333ISI: 000275027200022OAI: oai:DiVA.org:liu-54406DiVA, id: diva2:303521
Anmärkning

Original Publication: Vanya Darakchieva, K Lorenz, N P Barradas, E Alves, Bo Monemar, M Schubert, N Franco, C L Hsiao, L C Chen, W J Schaff, L W Tu, T Yamaguchi and Y Nanishi, Hydrogen in InN: A ubiquitous phenomenon in molecular beam epitaxy grown material, 2010, APPLIED PHYSICS LETTERS, (96), 8, 081907. http://dx.doi.org/10.1063/1.3327333 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/

Tillgänglig från: 2010-03-12 Skapad: 2010-03-12 Senast uppdaterad: 2013-05-01

Open Access i DiVA

fulltext(293 kB)249 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 293 kBChecksumma SHA-512
76f96b26e9eab67ee07218a1cf5940bf0e269055e8bcb0fe66bc02bda2147ef33fa86364aacd3ac269bc169384adcff07af978fe2f748f9f3015890cc5af0913
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaMonemar, Bo

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Darakchieva, VanyaMonemar, Bo
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 249 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 162 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf