liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Investigation of the interface between silicon nitride passivations and AlGaN/AlN/GaN heterostructures by C(V) characterization of metal-insulator-semiconductor-heterostructure capacitors
Chalmers.
Chalmers.
Chalmers.
Chalmers.
Visa övriga samt affilieringar
2010 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, Vol. 108, nr 1, s. 014508-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Capacitance-voltage [C(V)] measurements of metal-insulator-semiconductor-heterostructure capacitors are used to investigate the interface between silicon nitride passivation and AlGaN/AlN/GaN heterostructure material. AlGaN/AlN/GaN samples having different silicon nitride passivating layers, deposited using three different deposition techniques, are evaluated. Different interface state distributions result in large differences in the C(V) characteristics. A method to extract fixed charge as well as traps from the C(V) characteristics is presented. Rough estimates of the emission time constants of the traps can be extracted by careful analysis of the C(V) characteristics. The fixed charge is positive for all samples, with a density varying between 1.3 x 10(12) and 7.1 x 10(12) cm(-2). For the traps, the peak density of interface states is varying between 16 x 10(12) and 31 x 10(12) cm(-2) eV(-1) for the three samples. It is concluded that, of the deposition methods investigated in this report, the low pressure chemical vapor deposited silicon nitride passivation shows the most promising results with regards to low densities of interface states.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics , 2010. Vol. 108, nr 1, s. 014508-
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-58167DOI: 10.1063/1.3428442ISI: 000280000400098OAI: oai:DiVA.org:liu-58167DiVA, id: diva2:342925
Anmärkning
Original Publication: M. Fagerlind, F. Allerstam, E.O. Sveinbjornsson, N. Rorsman, Anelia Kakanakova-Gueorguie, Anders Lundskog, Urban Forsberg and Erik Janzén, Investigation of the interface between silicon nitride passivations and AlGaN/AlN/GaN heterostructures by C(V) characterization of metal-insulator-semiconductor-heterostructure capacitors, 2010, Journal of Applied Physics, (108), 1, 014508. http://dx.doi.org/10.1063/1.3428442 Copyright: American Institute of Physics http://www.aip.org/ Tillgänglig från: 2010-08-11 Skapad: 2010-08-09 Senast uppdaterad: 2017-12-12

Open Access i DiVA

fulltext(330 kB)1450 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 330 kBChecksumma SHA-512
6b04ff8fe0af9ca0c1bcaeeb9174551b47059895ce4812e7bd7d8d456424bbd19d72038cc8e6446c292e5ffff58bc579a8636ce5183ea5ee829ed96899a468fb
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaLundskog, AndersForsberg, UrbanJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaLundskog, AndersForsberg, UrbanJanzén, Erik
Av organisationen
Tekniska högskolanHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1450 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 267 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf