liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Epitaxial growth of AlN layers on SiC substrates in a hot-wall MOCVD system
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tunnfilmsfysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2002 (Engelska)Ingår i: Phys. Stat. Sol. (c), Vol. 0, Issue 1, 2002, Vol. n 1, s. 205-208Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

In this study we report the successful growth of AlN and AlN/GaN on SiC substrates in a MOCVD process based on a hot-wall susceptor design. Different features of AlN growth are established depending on the total reactor pressure, temperature, off-cut SiC substrate orientation and V-to-III gas-flow ratio. The feasibility of the hot-wall MOCVD concept is demonstrated by the performance of AlN/GaN structures with state-of-the-art properties with strong potential for further optimization. A narrower X-ray rocking curve over the asymmetric 10.4 than the symmetric 00.2 reflection clearly underlines the high overall crystal quality of the GaN layers on AlN buffers grown in this type of MOCVD reactor.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2002. Vol. n 1, s. 205-208
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-62810DOI: 10.1002/pssc.200390024OAI: oai:DiVA.org:liu-62810DiVA, id: diva2:374593
Konferens
International Workshop on Nitride Semiconductors
Tillgänglig från: 2010-12-06 Skapad: 2010-12-06 Senast uppdaterad: 2016-08-31

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanBirch, JensHultman, LarsJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kakanakova-Georgieva, AneliaForsberg, UrbanBirch, JensHultman, LarsJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolanInstitutionen för fysik, kemi och biologiTunnfilmsfysik
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 237 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf