liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Power Schottky rectifiers and microwave transistors in 4H-SiC
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2000 (Engelska)Ingår i: Proc. of the International Workshop on Semiconductor Devices, 2000, s. 668-671Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

The physical simulation, fabrication and characterization of 4H-SiC power Schottky diodes and physical simulations of power microwave transistors an presented. A record blocking voltage of 3.85 kV was achieved for a Schottky diode with a 43 μm thick epilayer grown by chimney CVD. For hot-wall CVD grown layers a blocking voltage of 3.6 kV was obtained. Simulations of power MESFETs showed maximum drain currents above 300 mA/mm and a drain breakdown above 150 volt An RF analysis showed the cut-off and the maximum frequency of oscillation for a device with a gate length of 0.5 μm to be 13 and 45 GHz respectively. The maximum achievable gain was above 10 dB ep to 26 GFz.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2000. s. 668-671
Serie
SPIE - The International Society for Optical Engineering, ISSN 0361-0748 ; 3975
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-63087ISBN: 9780819436016 (tryckt)ISBN: 0819436011 (tryckt)OAI: oai:DiVA.org:liu-63087DiVA, id: diva2:376319
Konferens
10th International Workshop on Semiconductor Devices, 14-18 December 1999, Delhi, India
Tillgänglig från: 2010-12-10 Skapad: 2010-12-10 Senast uppdaterad: 2015-03-03

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

https://getinfo.de/app/Power-Schottky-Rectifiers-and-Microwave-Transistors/id/BLCP%3ACN035352960http://tdl.libra.titech.ac.jp/journaldocs/en/recordID/article.bib-01/ZR000000028008?hit=-1&caller=xc-search

Personposter BETA

Wahab, Qamar UlForsberg, UrbanHenry, AnneJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Wahab, Qamar UlForsberg, UrbanHenry, AnneJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

isbn
urn-nbn

Altmetricpoäng

isbn
urn-nbn
Totalt: 84 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf