liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Kinetic modelling of hydrogen ad/absorption in thin films of hydrogen sensitive field effect devices: Observation of large hydrogen induced dipoles at the Pd/SiO2 interface
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-0873-2877
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
1995 (Engelska)Ingår i: Journal of Applied Physics, ISSN 0021-8979, E-ISSN 1089-7550, ISSN 0021-8979, Vol. 78, s. 988-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A kinetic modeling of the hydrogen interaction with a Pd‐SiO2‐Si (Pd‐MOS) device is reported. The model is fitted to a number of experimental results, mainly from mass spectrometric desorption measurements. The new results verify an older description of the energetics of hydrogen adsorption states at the Pd/SiO2 interface in the sense that the adsorption may be described by a so‐called Temkin isotherm; however, several new findings have to be incorporated into the model in order to obtain a consistent picture. The initial heat of adsorption at the interface is around 0.8 eV/hydrogen atom. The number of adsorption sites at the interface is considerably smaller than at the surface, 6×1017 m−2 versus 1.5×1019 m−2. Furthermore, the interface hydrogen atoms are strongly polarized. An average value of 2 Debye is obtained. It is the large hydrogen polarization at the Pd/SiO2 interface and not a large concentration of adsorbed hydrogen atoms per se which accounts for the very high sensitivity of a Pd‐MOS device as hydrogen sensor

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
1995. Vol. 78, s. 988-
Nationell ämneskategori
Fysik
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-67339DOI: 10.1063/1.360293OAI: oai:DiVA.org:liu-67339DiVA, id: diva2:409454
Tillgänglig från: 2011-04-08 Skapad: 2011-04-08 Senast uppdaterad: 2017-12-11

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Eriksson, MatsDannetun, Helen

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Eriksson, MatsDannetun, Helen
Av organisationen
Tillämpad FysikTekniska högskolan
I samma tidskrift
Journal of Applied Physics
Fysik

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 185 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf