liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Observation of Bistable Defects in Electron Irradiated N-Type 4H-SiC
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-2597-3322
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0002-7171-5383
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.ORCID-id: 0000-0001-5768-0244
Visa övriga samt affilieringar
2011 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum Vols. 679-680 (2011) pp 249-252, Trans Tech Publications Inc., 2011, s. 249-252Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

DLTS measurements show bistable behavior of the previously reported EH5 peak in low- and high-energy electron irradiation 4H-SiC. Both reconfiguration processes (A ! B and B ! A) take place above 700 ±C. By isothermal annealing, the reconfiguration rates were determined and the reconfiguration energy was calculated to EA = 2.4±0.2 eV. Since the defect is present already after low-energy electron irradiation, which mainly affects the C atom in SiC, the EH5 peak may be related to defects associated with C-vacancies or C-interstitials.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2011. s. 249-252
Serie
Materials Science Forum, ISSN 0255-5476 ; 679-680
Nyckelord [en]
Bistability, DLTS, Electron Irradiation, Metastable Defect
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-73602OAI: oai:DiVA.org:liu-73602DiVA, id: diva2:474868
Konferens
ECSCRM2010, Oslo, Norway
Tillgänglig från: 2012-01-10 Skapad: 2012-01-10 Senast uppdaterad: 2015-09-22

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Personposter BETA

Beyer, FranziskaHemmingsson, CarlPedersen, HenrikHenry, AnneJanzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Beyer, FranziskaHemmingsson, CarlPedersen, HenrikHenry, AnneJanzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

urn-nbn

Altmetricpoäng

urn-nbn
Totalt: 158 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf