liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The influence of substrate morphology on thickness uniformity and unintentional doping of epitaxial graphene on SiC
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Tillämpad Fysik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 100, nr 24, s. 241607-Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

A pivotal issue for the fabrication of electronic devices on epitaxial graphene on SiC is controlling the number of layers and reducing localized thickness inhomogeneities. Of equal importance is to understand what governs the unintentional doping of the graphene from the substrate. The influence of substrate surface topography on these two issues was studied by work function measurements and local surface potential mapping. The carrier concentration and the uniformity of epitaxial graphene samples grown under identical conditions and on substrates of nominally identical orientation were both found to depend strongly on the terrace width of the SiC substrate after growth.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2012. Vol. 100, nr 24, s. 241607-
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-78669DOI: 10.1063/1.4729556ISI: 000305269200022OAI: oai:DiVA.org:liu-78669DiVA, id: diva2:534604
Tillgänglig från: 2012-06-18 Skapad: 2012-06-18 Senast uppdaterad: 2017-12-07

Open Access i DiVA

fulltext(686 kB)479 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 686 kBChecksumma SHA-512
1a2d0f65408db6415133d8a985922f7d4b0ef7f443a1b0bd42d3c97a78ac22a69e9b06390c54c18202102017d01ebd2be6b2a5cf4ad417604186cf666f607f9b
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Eriksson, JensPearce, RuthIakimov, TihomirVirojanadara, ChariyaAndersson, MikeSyväjärvi, MikaelLloyd Spetz, AnitaYakimova, Rositza

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Eriksson, JensPearce, RuthIakimov, TihomirVirojanadara, ChariyaAndersson, MikeSyväjärvi, MikaelLloyd Spetz, AnitaYakimova, Rositza
Av organisationen
Tillämpad FysikTekniska högskolanHalvledarmaterial
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 479 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 603 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf