liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
The registry of graphene layers grown on SiC(000-1)
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
MAX-lab, Lund University, Sweden.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum Vols 717 - 720, Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 613-616Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

Graphene samples were grown on the C-face of SiC, at high temperature in a furnace andan Ar ambient, and were investigated using LEEM, XPEEM, LEED, XPS and ARPES. Formationof fairly large grains (crystallographic domains) of graphene exhibiting sharp 1x1 patterns in μ-LEED was revealed and that different grains showed different azimuthal orientations. Selective areaconstant initial energy photoelectron angular distribution patterns recorded showed the same results,ordered grains and no rotational disorder between adjacent layers. A grain size of up to a few μmwas obtained on some samples.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2012. Vol. 717-720, s. 613-616
Nyckelord [en]
graphene, C-face SiC, ordered grains, LEEM, XPEEM, μ-LEED and ARPES
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-78690DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.613ISI: 000309431000146OAI: oai:DiVA.org:liu-78690DiVA, id: diva2:534757
Konferens
14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), 11-16 September 2011, Cleveland, OH, USA
Tillgänglig från: 2012-06-18 Skapad: 2012-06-18 Senast uppdaterad: 2013-02-04

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Johansson, Leif I.Watcharinyanon, SomsakulYakimova, RositsaVirojanadara, Chariya

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Johansson, Leif I.Watcharinyanon, SomsakulYakimova, RositsaVirojanadara, Chariya
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 89 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf