liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Control of epitaxial graphene thickness on 4H-SiC(0001) and bufferlayer removal through hydrogen intercalation
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Institute of Solid State Physics, University of Bremen, Germany.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Materials Science Forum (Volumes 717 - 720), Trans Tech Publications Inc., 2012, Vol. 717-720, s. 605-608Konferensbidrag, Publicerat paper (Refereegranskat)
Abstract [en]

We report graphene thickness, uniformity and surface morphology dependence on thegrowth temperature and local variations in the off-cut of Si-face 4H-SiC on-axis substrates. Thetransformation of the buffer layer through hydrogen intercalation and the subsequent influence onthe charge carrier mobility are also studied. A hot-wall CVD reactor was used for in-situ etching,graphene growth in vacuum and the hydrogen intercalation process. The number of graphene layersis found to be dependent on the growth temperature while the surface morphology also depends onthe local off-cut of the substrate and results in a non-homogeneous surface. Additionally, the influence of dislocations on surface morphology and graphene thickness uniformity is also presented.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
Trans Tech Publications Inc., 2012. Vol. 717-720, s. 605-608
Nyckelord [en]
epitaxial graphene, growth, hydrogen intercalation, LEEM, ARPES, mobility
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-78696DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.717-720.605ISI: 000309431000144OAI: oai:DiVA.org:liu-78696DiVA, id: diva2:534776
Konferens
14th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011), 11-16 September 2011, Cleveland, OH, USA
Tillgänglig från: 2012-06-18 Skapad: 2012-06-18 Senast uppdaterad: 2013-02-04

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

ul-Hassan, JawadVirojanadara, ChariyaIvanov, Ivan GueorguievWatcharinyanon, SomsakulJohansson, Leif I.Janzén, Erik

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
ul-Hassan, JawadVirojanadara, ChariyaIvanov, Ivan GueorguievWatcharinyanon, SomsakulJohansson, Leif I.Janzén, Erik
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 148 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf