liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Tuning the threshold voltage in electrolyte-gated organic field-effect transistors
Linköpings universitet, Institutionen för teknik och naturvetenskap, Fysik och elektroteknik. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Thin Film Elect AB, Sweden .
University of Paris Diderot Sorbonne Paris Cite, France .
University of Paris Diderot Sorbonne Paris Cite, France .
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, ISSN 0027-8424, E-ISSN 1091-6490, Vol. 109, nr 22, s. 8394-8399Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Low-voltage organic field-effect transistors (OFETs) promise for low power consumption logic circuits. To enhance the efficiency of the logic circuits, the control of the threshold voltage of the transistors are based on is crucial. We report the systematic control of the threshold voltage of electrolyte-gated OFETs by using various gate metals. The influence of the work function of the metal is investigated in metal-electrolyte-organic semiconductor diodes and electrolyte-gated OFETs. A good correlation is found between the flat-band potential and the threshold voltage. The possibility to tune the threshold voltage over half the potential range applied and to obtain depletion-like (positive threshold voltage) and enhancement (negative threshold voltage) transistors is of great interest when integrating these transistors in logic circuits. The combination of a depletion-like and enhancement transistor leads to a clear improvement of the noise margins in depleted-load unipolar inverters.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
National Academy of Sciences , 2012. Vol. 109, nr 22, s. 8394-8399
Nyckelord [en]
organic electronics, polyelectrolytes, thin-film transistors, gate electrode material
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-78813DOI: 10.1073/pnas.1120311109ISI: 000304881700017OAI: oai:DiVA.org:liu-78813DiVA, id: diva2:536041
Anmärkning

Funding Agencies|Onnesjo Foundation||Swedish Foundation for Strategic Research (OPEN)||Swedish government||Vinnova||EU-ERDF (PEA)||EU-commision (BIOEGOFET)||

Tillgänglig från: 2012-06-21 Skapad: 2012-06-21 Senast uppdaterad: 2017-12-07

Open Access i DiVA

fulltext(1025 kB)1396 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 1025 kBChecksumma SHA-512
4b7502cb0d0965c99d268c0884494252bfaaec4a47c68e5bd82b9e75a0fa0564df1ef2b610311fc466dd72f481865239e53e4d7a37930a8e04bf312febb6fa10
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kergoat, LoigCrispin, XavierBerggren, Magnus

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kergoat, LoigCrispin, XavierBerggren, Magnus
Av organisationen
Fysik och elektroteknikTekniska högskolan
I samma tidskrift
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 1396 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 648 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf