liu.seSök publikationer i DiVA
Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
Visible to vacuum ultraviolet dielectric functions of epitaxial graphene on 3C and 4H SiC polytypes determined by spectroscopic ellipsometry
University of Nebraska, USA .
University of Nebraska, USA.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Linköpings universitet, Institutionen för fysik, kemi och biologi, Halvledarmaterial. Linköpings universitet, Tekniska högskolan.
Visa övriga samt affilieringar
2012 (Engelska)Ingår i: Applied Physics Letters, ISSN 0003-6951, E-ISSN 1077-3118, Vol. 101, nr 1Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Abstract [en]

Spectroscopic ellipsometry measurements in the visible to vacuum-ultraviolet spectra (3.5-9.5 eV) are performed to determine the dielectric function of epitaxial graphene on SiC polytypes, including 4H (C-face and Si-face) and 3C SiC (Si-face). The model dielectric function of graphene is composed of two harmonic oscillators and allows the determination of graphene quality, morphology, and strain. A characteristic van Hove singularity at 4.5 eV is present in the dielectric function of all samples, in agreement with observations on exfoliated as well as chemical vapor deposited graphene in the visible range. Model dielectric function analysis suggests that none of our graphene layers experience a significant degree of strain. Graphene grown on the Si-face of 4H SiC exhibits a dielectric function most similar to theoretical predictions for graphene. The carbon buffer layer common for graphene on Si-faces is found to increase polarizability of graphene in the investigated spectrum.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
American Institute of Physics (AIP) , 2012. Vol. 101, nr 1
Nationell ämneskategori
Teknik och teknologier
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:liu:diva-86561DOI: 10.1063/1.4732159ISI: 000306144800025OAI: oai:DiVA.org:liu-86561DiVA, id: diva2:579062
Tillgänglig från: 2012-12-19 Skapad: 2012-12-19 Senast uppdaterad: 2017-12-06

Open Access i DiVA

fulltext(790 kB)604 nedladdningar
Filinformation
Filnamn FULLTEXT01.pdfFilstorlek 790 kBChecksumma SHA-512
3ffd347d0fcdb5eebefefe193e961989854e5333ebfabcbcfbd84fcfacc0e5c3dabf3bac29b4d734e51c43705abf55d604b00fa0e8f1ade0b74f01b66b362455
Typ fulltextMimetyp application/pdf

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Darakchieva, VanyaYakimova, Rositsa

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Darakchieva, VanyaYakimova, Rositsa
Av organisationen
HalvledarmaterialTekniska högskolan
I samma tidskrift
Applied Physics Letters
Teknik och teknologier

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar
Totalt: 604 nedladdningar
Antalet nedladdningar är summan av nedladdningar för alla fulltexter. Det kan inkludera t.ex tidigare versioner som nu inte längre är tillgängliga.

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 203 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • harvard1
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • oxford
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf